IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: 650V FET COOLMOS TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 305W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IPZA65R029CFD7XKSA1 nach Preis ab 11.82 EUR bis 22.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IPZA65R029CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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IPZA65R029CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V |
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| IPZA65R029CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005413356 |
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IPZA65R029CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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IPZA65R029CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
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