IQD005N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

---

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5000 Stücke:

---

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	6.78 EUR
10+	5.68 EUR
25+	5.37 EUR
100+	4.59 EUR
250+	4.35 EUR
500+	4.1 EUR
1000+	3.5 EUR

kaufen

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details IQD005N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

Weitere Produktangebote IQD005N04NM6ATMA1 nach Preis ab 3.04 EUR bis 6.81 EUR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IQD005N04NM6ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 25+ 6.37 EUR 30+  5.18 EUR 32+  4.66 EUR 100+  3.04 EUR Mindestbestellmenge: 25 kaufen
	IQD005N04NM6ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 25+ 6.37 EUR 30+  5.18 EUR 32+  4.66 EUR 100+  3.04 EUR Mindestbestellmenge: 25 kaufen
	IQD005N04NM6ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V	auf Bestellung 5016 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 3+ 6.81 EUR 10+  5.72 EUR 100+  4.62 EUR 500+  4.11 EUR 1000+  3.52 EUR 2000+  3.31 EUR Mindestbestellmenge: 3 kaufen
	IQD005N04NM6ATMA1 Produktcode: 198771		Transistoren > MOSFET N-CH	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IQD005N04NM6ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IQD005N04NM6ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	TRENCH <= 40V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IQD005N04NM6ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen