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IQD005N04NM6ATMA1

Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d
Produktcode: 198771
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IQD005N04NM6ATMA1 IQD005N04NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.94 EUR
500+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IQD005N04NM6ATMA1 IQD005N04NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IQD005N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45c39aa3034d Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.02 EUR
42+5.57 EUR
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Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IQD005N04NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqd005n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
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36+4.88 EUR
44+3.88 EUR
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IQD005N04NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
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Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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IQD005N04NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
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Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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N-channel Power MOSFET
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