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IQD005N04NM6SCATMA1

IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon Technologies

infineoniqd005n04nm6scdatasheetv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 57A 8-Pin WHSON EP T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 597A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm.

Weitere Produktangebote IQD005N04NM6SCATMA1 nach Preis ab 3.12 EUR bis 12.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQD005N04NM6SCATMA1 IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd005n04nm6scdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 57A 8-Pin WHSON EP T/R
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IQD005N04NM6SCATMA1 IQD005N04NM6SCATMA1 INFINEON 4409634.pdf Description: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.09 EUR
500+4.28 EUR
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IQD005N04NM6SCATMA1 IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQD005N04NM6SC_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+6.06 EUR
100+4.32 EUR
500+3.77 EUR
2500+3.62 EUR
5000+3.52 EUR
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IQD005N04NM6SCATMA1 IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD005N04NM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac8019169effe56544b Description: MOSFET N-CH 40V 8POWERWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.28 EUR
10+6.15 EUR
50+4.81 EUR
100+4.37 EUR
500+3.82 EUR
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IQD005N04NM6SCATMA1 IQD005N04NM6SCATMA1 INFINEON 4409634.pdf Description: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.17 EUR
32+7.4 EUR
100+5.09 EUR
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IQD005N04NM6SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
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AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs IFX FET 40V
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500+3.77 EUR
2500+3.62 EUR
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IQD005N04NM6SCATMA1 Infineon-IQD005N04NM6SC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac8019169effe56544b
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Description: MOSFET N-CH 40V 8POWERWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+9.28 EUR
10+6.15 EUR
50+4.81 EUR
100+4.37 EUR
500+3.82 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 2609 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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100+5.09 EUR
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