IQD009N06NM5CGATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.16 EUR |
| 500+ | 4.74 EUR |
| 1000+ | 4.61 EUR |
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Technische Details IQD009N06NM5CGATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 445A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IQD009N06NM5CGATMA1 nach Preis ab 4.19 EUR bis 10.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IQD009N06NM5CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 4890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5CGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 27+ | 9.59 EUR |
| 35+ | 6.74 EUR |
| 100+ | 5.16 EUR |
| 500+ | 4.74 EUR |
| 1000+ | 4.61 EUR |
| IQD009N06NM5CGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 4890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 10.22 EUR |
| 10+ | 6.7 EUR |
| 100+ | 4.99 EUR |
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| 5000+ | 4.19 EUR |