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IQD009N06NM5CGATMA1

IQD009N06NM5CGATMA1 INFINEON

3983237.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.16 EUR
500+4.74 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details IQD009N06NM5CGATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 445A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQD009N06NM5CGATMA1 IQD009N06NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD009N06NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8caea00536 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.27 EUR
10+5.5 EUR
25+5.06 EUR
100+4.57 EUR
250+4.33 EUR
500+4.2 EUR
1000+4.08 EUR
2500+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IQD009N06NM5CGATMA1 IQD009N06NM5CGATMA1 INFINEON 3983237.pdf Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.59 EUR
35+6.74 EUR
100+5.16 EUR
500+4.74 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IQD009N06NM5CGATMA1 Infineon-IQD009N06NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8caea00536
IQD009N06NM5CGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.27 EUR
10+5.5 EUR
25+5.06 EUR
100+4.57 EUR
250+4.33 EUR
500+4.2 EUR
1000+4.08 EUR
2500+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IQD009N06NM5CGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.59 EUR
35+6.74 EUR
100+5.16 EUR
500+4.74 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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