IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 5000 Stücke:

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Lieferzeit 150-154 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	7.3 EUR
10+	6.14 EUR
25+	5.79 EUR
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250+	4.68 EUR
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Technische Details IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Weitere Produktangebote IQD016N08NM5ATMA1 nach Preis ab 3.16 EUR bis 5.88 EUR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IQD016N08NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 27+ 5.88 EUR 31+  5 EUR 32+  4.57 EUR 100+  3.87 EUR 250+  3.16 EUR Mindestbestellmenge: 27 kaufen
	IQD016N08NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 27+ 5.88 EUR 31+  5 EUR 32+  4.57 EUR 100+  3.87 EUR 250+  3.16 EUR Mindestbestellmenge: 27 kaufen
	IQD016N08NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IQD016N08NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IQD016N08NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IQD016N08NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen