IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

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Technische Details IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis
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	IQD016N08NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis 27+ 5.44 EUR 31+ 4.62 EUR 32+ 4.22 EUR 100+ 3.58 EUR 250+ 2.92 EUR Mindestbestellmenge: 27 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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	IQD016N08NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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	IQD016N08NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH