IQD016N08NM5CGATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 323A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm.