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IQD016N08NM5CGSCATMA1

IQD016N08NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

infineoniqd016n08nm5cgscdatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin WHTFN EP T/R
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Technische Details IQD016N08NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 323A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQD016N08NM5CGSCATMA1 IQD016N08NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd016n08nm5cgscdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin WHTFN EP T/R
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IQD016N08NM5CGSCATMA1 IQD016N08NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409628.pdf Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
auf Bestellung 4090 Stücke:
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100+5.51 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.87 EUR
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IQD016N08NM5CGSCATMA1 IQD016N08NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD016N08NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6de11e05fb1 Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
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Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
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Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin WHTFN EP T/R
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IQD016N08NM5CGSCATMA1 4409628.pdf
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Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
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Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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