IQD020N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.99 EUR |
| 10+ | 5.56 EUR |
| 100+ | 3.98 EUR |
| 500+ | 3.85 EUR |
| 1000+ | 3.64 EUR |
| 5000+ | 3.61 EUR |
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Technische Details IQD020N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 276A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IQD020N10NM5ATMA1 nach Preis ab 3.03 EUR bis 8.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IQD020N10NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IQD020N10NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 276A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQD020N10NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 276A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD020N10NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD020N10NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD020N10NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IQD020N10NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
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