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IQD020N10NM5ATMA1

IQD020N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iqd020n10nm5-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
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Technische Details IQD020N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 276A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm.

Weitere Produktangebote IQD020N10NM5ATMA1 nach Preis ab 4.26 EUR bis 11.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 INFINEON 4015300.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 3257 Stücke:
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100+5.68 EUR
500+4.95 EUR
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auf Bestellung 160 Stücke:
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28+6 EUR
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auf Bestellung 160 Stücke:
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IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD020N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a467e766504b8 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
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2+11.21 EUR
10+7.47 EUR
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IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQD020N10NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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1+11.47 EUR
10+7.41 EUR
100+5.46 EUR
500+4.84 EUR
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IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 INFINEON 4015300.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.7 EUR
30+7.96 EUR
100+5.68 EUR
500+4.95 EUR
1000+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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auf Bestellung 1 Stücke:
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IQD020N10NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
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AnzahlPrivatkunde
100+5.68 EUR
500+4.95 EUR
1000+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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N-channel Power MOSFET
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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28+6 EUR
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28+6.16 EUR
100+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IQD020N10NM5ATMA1 Infineon-IQD020N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a467e766504b8
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Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
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MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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1+11.47 EUR
10+7.41 EUR
100+5.46 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.32 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
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30+7.96 EUR
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500+4.95 EUR
1000+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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N-channel Power MOSFET
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