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IQD020N10NM5CGATMA1

IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies

infineon-iqd020n10nm5cg-datasheet-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R
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Technische Details IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 273A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm.

Weitere Produktangebote IQD020N10NM5CGATMA1 nach Preis ab 4.08 EUR bis 9.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 INFINEON Infineon-IQD020N10NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cc0be053c Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 4300 Stücke:
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IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD020N10NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cc0be053c Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 INFINEON Infineon-IQD020N10NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cc0be053c Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.02 EUR
36+6.62 EUR
100+5.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQD020N10NM5CG_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon-IQD020N10NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cc0be053c
IQD020N10NM5CGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TTFN
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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IQD020N10NM5CGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+5.51 EUR
25+5.07 EUR
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500+4.21 EUR
1000+4.09 EUR
2500+4.08 EUR
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IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon-IQD020N10NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cc0be053c
IQD020N10NM5CGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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28+9.02 EUR
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100+5.16 EUR
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IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon_IQD020N10NM5CG_DataSheet_v02_01_EN.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 3133 Stücke:
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1+9.87 EUR
10+6.91 EUR
100+5.4 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.36 EUR
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