IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 145+ | 3.78 EUR |
| 500+ | 3.53 EUR |
| 1000+ | 3.26 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 273A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm.
Weitere Produktangebote IQD020N10NM5CGATMA1 nach Preis ab 3.43 EUR bis 10.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IQD020N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTORPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IQD020N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
auf Bestellung 4333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IQD020N10NM5CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
|
IQD020N10NM5CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IQD020N10NM5CGATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
auf Bestellung 4833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.12 EUR |
| 10+ | 4.63 EUR |
| 25+ | 4.26 EUR |
| 100+ | 3.85 EUR |
| 250+ | 3.65 EUR |
| 500+ | 3.54 EUR |
| 1000+ | 3.44 EUR |
| 2500+ | 3.43 EUR |
| IQD020N10NM5CGATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 4333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.33 EUR |
| 10+ | 6.78 EUR |
| 100+ | 4.98 EUR |
| 500+ | 4.44 EUR |
| 1000+ | 3.94 EUR |
| IQD020N10NM5CGATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IQD020N10NM5CGATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)