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IQD020N10NM5SCATMA1

IQD020N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies

infineoniqd020n10nm5scdatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin WHSON EP T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.45 EUR
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Technische Details IQD020N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 276A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm.

Weitere Produktangebote IQD020N10NM5SCATMA1 nach Preis ab 4.33 EUR bis 16.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd020n10nm5scdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin WHSON EP T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
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IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 INFINEON 4409638.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4196 Stücke:
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100+6.81 EUR
500+5.87 EUR
1000+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies IQD020N10NM5SCATMA1.pdf Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
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2+12.09 EUR
10+8.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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auf Bestellung 8563 Stücke:
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IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 INFINEON 4409638.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4196 Stücke:
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16+16.42 EUR
23+10.09 EUR
100+6.81 EUR
500+5.87 EUR
1000+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IQD020N10NM5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+13.14 EUR
10+8.6 EUR
100+6.34 EUR
500+5.63 EUR
1000+5.34 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 276A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.42 EUR
23+10.09 EUR
100+6.81 EUR
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