| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 1.88 EUR |
| 94+ | 1.83 EUR |
| 96+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
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Technische Details IQD063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQD063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 6320 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 148A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, Verlustleistung: 278W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm.
Weitere Produktangebote IQD063N15NM5ATMA1 nach Preis ab 3.99 EUR bis 13.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IQD063N15NM5ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IQD063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 6320 µohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 278W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm |
auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQD063N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
auf Bestellung 3422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQD063N15NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 6320 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 278W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm |
auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQD063N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V |
auf Bestellung 4042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IQD063N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
auf Bestellung 4624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IQD063N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IQD063N15NM5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 6320 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm
Description: INFINEON - IQD063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 6320 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.55 EUR |
| 500+ | 4.13 EUR |
| 1000+ | 3.99 EUR |
| IQD063N15NM5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
N-channel Power MOSFET
auf Bestellung 3422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 108+ | 6.09 EUR |
| 500+ | 5.7 EUR |
| 1000+ | 5.26 EUR |
| IQD063N15NM5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 6320 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm
Description: INFINEON - IQD063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 6320 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.04 EUR |
| 34+ | 6.84 EUR |
| 100+ | 4.55 EUR |
| 500+ | 4.13 EUR |
| 1000+ | 3.99 EUR |
| IQD063N15NM5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
auf Bestellung 4042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.51 EUR |
| 10+ | 9.12 EUR |
| 100+ | 6.62 EUR |
| 500+ | 6.31 EUR |
| IQD063N15NM5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 4624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.66 EUR |
| 10+ | 9.13 EUR |
| 100+ | 7.33 EUR |
| 500+ | 6.51 EUR |
| 1000+ | 5.78 EUR |
| IQD063N15NM5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
N-channel Power MOSFET
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)