IQDH29NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
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Technische Details IQDH29NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET, Type of transistor: N-MOSFET.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IQDH29NE2LM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IQDH29NE2LM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 15V-30V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IQDH29NE2LM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IQDH29NE2LM5ATMA1 | Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IQDH29NE2LM5ATMA1 | Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
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| IQDH29NE2LM5ATMA1 |
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Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
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| IQDH29NE2LM5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
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| IQDH29NE2LM5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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| IQDH29NE2LM5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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N-channel Power MOSFET
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