IQDH29NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V

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Technische Details IQDH29NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis
	IQDH29NE2LM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V	auf Bestellung 4826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 4+ 5.74 EUR 10+ 4.83 EUR 100+ 3.91 EUR 500+ 3.47 EUR 1000+ 2.97 EUR 2000+ 2.8 EUR Mindestbestellmenge: 4 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IQDH29NE2LM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH