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IQDH29NE2LM5ATMA1

IQDH29NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IQDH29NE2LM5_DataSheet_v02_00_EN-3367072.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3201 Stücke:

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Anzahl Preis
1+6.53 EUR
10+4.65 EUR
25+4.4 EUR
100+3.48 EUR
250+3.41 EUR
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Technische Details IQDH29NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH .

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IQDH29NE2LM5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IQDH29NE2LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4599a0e9027c Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
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