IQDH29NE2LM5CGATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.63 EUR |
| 10+ | 3.47 EUR |
| 25+ | 3.18 EUR |
| 100+ | 2.86 EUR |
| 250+ | 2.71 EUR |
| 500+ | 2.61 EUR |
| 1000+ | 2.54 EUR |
| 2500+ | 2.51 EUR |
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Technische Details IQDH29NE2LM5CGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 789A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 278W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm.
Weitere Produktangebote IQDH29NE2LM5CGATMA1 nach Preis ab 3.04 EUR bis 5.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IQDH29NE2LM5CGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 3010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IQDH29NE2LM5CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 789A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 278W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm |
auf Bestellung 4557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IQDH29NE2LM5CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 789A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 278W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm |
auf Bestellung 4557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IQDH29NE2LM5CGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.93 EUR |
| 10+ | 4.47 EUR |
| 25+ | 4.07 EUR |
| 100+ | 3.59 EUR |
| 250+ | 3.38 EUR |
| 500+ | 3.24 EUR |
| 1000+ | 3.04 EUR |
| IQDH29NE2LM5CGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
auf Bestellung 4557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IQDH29NE2LM5CGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 25V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
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isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
auf Bestellung 4557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)