IQDH35N03LM5ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

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Technische Details IQDH35N03LM5ATMA1 Infineon Technologies

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	IQDH35N03LM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH <= 40V	auf Bestellung 4974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 1+ 6.78 EUR 10+ 4.82 EUR 25+ 4.49 EUR 100+ 3.61 EUR 250+ 3.47 EUR 500+ 2.99 EUR 1000+ 2.85 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IQDH35N03LM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH