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Technische Details IQDH35N03LM5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IQDH35N03LM5SCATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IQDH35N03LM5SCATMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: WHSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IQDH35N03LM5SCATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IQDH35N03LM5SCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V |
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IQDH35N03LM5SCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V |
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