IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 5.93 EUR |
| 10+ | 5.17 EUR |
| 25+ | 5.12 EUR |
| 100+ | 4.59 EUR |
| 250+ | 4.49 EUR |
| 500+ | 4.01 EUR |
| 1000+ | 3.63 EUR |
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Technische Details IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 447A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: WHTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote IQDH88N06LM5CGSCATMA1 nach Preis ab 3.8 EUR bis 8.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V |
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IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 447A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V |
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