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IQE004NE1LM7CGATMA1

IQE004NE1LM7CGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQE004NE1LM7CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae4c205bf478b
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IQE004NE1LM7CGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 15V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 379A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 89W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 7V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm.

Weitere Produktangebote IQE004NE1LM7CGATMA1 nach Preis ab 1.58 EUR bis 6.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7cg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin TTFN EP T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.07 EUR
20000+1.86 EUR
30000+1.69 EUR
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IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 INFINEON 4018760.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE004NE1LM7CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae4c205bf478b Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
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5+5.11 EUR
10+3.3 EUR
50+2.51 EUR
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IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 INFINEON 4018760.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.12 EUR
63+3.69 EUR
100+2.33 EUR
500+1.94 EUR
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IQE004NE1LM7CGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE004NE1LM7CG_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 3903 Stücke:
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1+5.01 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
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IQE004NE1LM7CGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
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IQE004NE1LM7CGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.12 EUR
63+3.69 EUR
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MOSFETs IFX FET 15V-30V
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10+3.22 EUR
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