IQE004NE1LM7CGSCATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.11 EUR |
| 1000+ | 1.81 EUR |
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Technische Details IQE004NE1LM7CGSCATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 15V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 379A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: WHTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 7V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IQE004NE1LM7CGSCATMA1 nach Preis ab 1.67 EUR bis 7.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
auf Bestellung 4465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
auf Bestellung 4465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 15V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 379A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V |
auf Bestellung 5458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 15V-30V |
auf Bestellung 32657 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.01 EUR |
| 66+ | 2.61 EUR |
| 67+ | 2.52 EUR |
| 100+ | 2.46 EUR |
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.01 EUR |
| 66+ | 2.56 EUR |
| 67+ | 2.43 EUR |
| 100+ | 2.33 EUR |
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
auf Bestellung 4465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 3.56 EUR |
| 100+ | 2.46 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| 1000+ | 1.83 EUR |
| 2500+ | 1.8 EUR |
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
auf Bestellung 4465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 3.56 EUR |
| 100+ | 2.42 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| 2500+ | 1.67 EUR |
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6000+ | 5.24 EUR |
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 5.57 EUR |
| 63+ | 3.71 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.11 EUR |
| 1000+ | 1.81 EUR |
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
auf Bestellung 5458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.94 EUR |
| 10+ | 5.21 EUR |
| 50+ | 4.05 EUR |
| 100+ | 3.67 EUR |
| 500+ | 3.08 EUR |
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
MOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 32657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.79 EUR |
| 10+ | 5.13 EUR |
| 100+ | 3.62 EUR |
| 500+ | 3.03 EUR |
| 2500+ | 2.93 EUR |
| 6000+ | 2.84 EUR |