IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

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Technische Details IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	IQE004NE1LM7CGSCATMA1	Infineon Technologies	MOSFET TRENCH <= 40V	auf Bestellung 4348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	1+ 4.42 EUR 10+ 3.66 EUR 100+ 2.92 EUR 250+ 2.69 EUR 500+ 2.45 EUR 1000+ 2.09 EUR 2500+ 1.99 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

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MOSFET TRENCH <= 40V

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