IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 15V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 379A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 89W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 7V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm.
Weitere Produktangebote IQE004NE1LM7CGSCATMA1 nach Preis ab 2.39 EUR bis 9.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 15V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 379A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 89W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 7V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm |
auf Bestellung 5956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 15V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 379A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 89W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 7V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm |
auf Bestellung 5956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 15V-30V |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 3.86 EUR |
| 59+ | 2.93 EUR |
| 60+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: WHTFN
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Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS 7 Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
auf Bestellung 5956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.86 EUR |
| 500+ | 3.24 EUR |
| 1000+ | 3.17 EUR |
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: WHTFN
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Produktpalette: OptiMOS 7 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
auf Bestellung 5956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 9.67 EUR |
| 40+ | 5.91 EUR |
| 100+ | 3.86 EUR |
| 500+ | 3.24 EUR |
| 1000+ | 3.17 EUR |
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
MOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.79 EUR |
| 10+ | 5.13 EUR |
| 100+ | 3.62 EUR |
| 500+ | 3.03 EUR |
| 2500+ | 2.93 EUR |
| 6000+ | 2.84 EUR |