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IQE004NE1LM7CGSCATMA1

IQE004NE1LM7CGSCATMA1 INFINEON

4018762.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.51 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.81 EUR
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Technische Details IQE004NE1LM7CGSCATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 15V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 379A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: WHTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 7V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7cgsc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.63 EUR
46+3.76 EUR
47+3.64 EUR
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250+2.07 EUR
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7cgsc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.63 EUR
46+3.68 EUR
47+3.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 IQE004NE1LM7CGSCATMA1 INFINEON 4018762.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE004NE1LM7CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae4c1f8664788 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
auf Bestellung 5618 Stücke:
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3+7.96 EUR
10+5.22 EUR
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500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE004NE1LM7CGSC_DataSheet_v02_00_EN-3324432.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4348 Stücke:
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1+5.26 EUR
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250+3.2 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.49 EUR
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IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
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Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
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Qualifikation: -
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
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Description: TRENCH <= 40V
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Mounting Type: Surface Mount
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
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MOSFET TRENCH <= 40V
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