IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

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Technische Details IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IQE004NE1LM7CGSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R	auf Bestellung 402 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 38+ 4.16 EUR 46+  3.31 EUR 47+  3.15 EUR 100+  2.43 EUR 250+  1.72 EUR Mindestbestellmenge: 38 kaufen
	IQE004NE1LM7CGSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V	auf Bestellung 10886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 4+ 4.47 EUR 10+  3.7 EUR 100+  2.95 EUR 500+  2.49 EUR 1000+  2.12 EUR 2000+  2.01 EUR Mindestbestellmenge: 4 kaufen
	IQE004NE1LM7CGSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET TRENCH <= 40V	auf Bestellung 4348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 1+ 4.42 EUR 10+  3.66 EUR 100+  2.92 EUR 250+  2.69 EUR 500+  2.45 EUR 1000+  2.09 EUR 2500+  1.99 EUR kaufen
	IQE004NE1LM7CGSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IQE004NE1LM7CGSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	TRENCH <= 40V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IQE004NE1LM7CGSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen