IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
auf Bestellung 8277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.14 EUR |
| 10+ | 2.89 EUR |
| 100+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
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Technische Details IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IQE006NE2LM5CGSCATMA1 nach Preis ab 1.46 EUR bis 4.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 14167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V Dauer-Drainstrom Id: 310A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005419125 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V |
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