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IQE030N06NM5SCATMA1

IQE030N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQE030N06NM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cd68d4c832aa
Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
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Technische Details IQE030N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQE030N06NM5SCATMA1 IQE030N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE030N06NM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cd68d4c832aa MOSFETs IFX FET 60V
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IQE030N06NM5SCATMA1 IQE030N06NM5SCATMA1 INFINEON 3795149.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
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Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IQE030N06NM5SCATMA1 IQE030N06NM5SCATMA1 INFINEON Infineon-IQE030N06NM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cd68d4c832aa Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
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IQE030N06NM5SCATMA1 Infineon-IQE030N06NM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cd68d4c832aa
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MOSFETs IFX FET 60V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
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