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IQE050N08NM5CGATMA1

IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies

infineon-iqe050n08nm5cg-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 16A 9-Pin TTFN EP T/R
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Technische Details IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 4300 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm.

Weitere Produktangebote IQE050N08NM5CGATMA1 nach Preis ab 2.31 EUR bis 8.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQE050N08NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1 INFINEON 3629128.pdf Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 4300 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 8240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.37 EUR
500+2.94 EUR
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IQE050N08NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE050N08NM5CG_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 92 Stücke:
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1+7.02 EUR
10+3.58 EUR
100+3.2 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.53 EUR
2500+2.39 EUR
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IQE050N08NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE050N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c921b620bf1 Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
auf Bestellung 4944 Stücke:
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3+7.22 EUR
10+4.7 EUR
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IQE050N08NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1 INFINEON 3629128.pdf Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 4300 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 8240 Stücke:
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IQE050N08NM5CGATMA1 3629128.pdf
IQE050N08NM5CGATMA1
Hersteller: INFINEON
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Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs IFX FET > 60-80V
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1+7.02 EUR
10+3.58 EUR
100+3.2 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.53 EUR
2500+2.39 EUR
5000+2.31 EUR
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IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon-IQE050N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c921b620bf1
IQE050N08NM5CGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
auf Bestellung 4944 Stücke:
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3+7.22 EUR
10+4.7 EUR
50+3.63 EUR
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500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IQE050N08NM5CGATMA1 3629128.pdf
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 4300 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.54 EUR
45+5.2 EUR
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