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IQE050N08NM5CGSCATMA1

IQE050N08NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IQE050N08NM5CGSC_DataSheet_v02_00_EN-3073884.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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Technische Details IQE050N08NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1 Hersteller : INFINEON 3795150.pdf Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 99A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1 Hersteller : INFINEON 3795150.pdf Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
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Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IQE050N08NM5CGSCATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iqe050n08nm5cgsc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16A
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IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IQE050N08NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cda8ea797c52 Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
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IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IQE050N08NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cda8ea797c52 Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
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