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IQE065N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies


infineon_iqe065n10nm5cgsc_datasheet_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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Technische Details IQE065N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795152.pdf Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TFN, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
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Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TFN, Oberflächenmontage
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