| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.03 EUR |
| 10+ | 5.09 EUR |
| 25+ | 4.8 EUR |
| 100+ | 4.11 EUR |
| 250+ | 3.88 EUR |
| 500+ | 3.67 EUR |
| 1000+ | 2.95 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IQE065N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE065N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IQE065N10NM5SCATMA1 nach Preis ab 4.99 EUR bis 8.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IQE065N10NM5SCATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IQE065N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, SON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
|
|
IQE065N10NM5SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE065N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IQE065N10NM5SCATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE065N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQE065N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.09 EUR |
| 47+ | 4.99 EUR |
| IQE065N10NM5SCATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE065N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQE065N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.09 EUR |
| 47+ | 4.99 EUR |