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IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IQE220N15NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b22d468912f5d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Package / Case: 9-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPreis
6000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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Technische Details IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN, Supplier Device Package: PG-WHTFN-9, Package / Case: 9-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Mounting Type: Surface Mount.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE220N15NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b22d468912f5d Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerWDFN
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IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE220N15NM5CGSC_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
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10+4.08 EUR
100+2.87 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.31 EUR
2500+2.15 EUR
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IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon-IQE220N15NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b22d468912f5d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerWDFN
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
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