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Technische Details IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Supplier Device Package: PG-WHTFN-9.
Weitere Produktangebote IQE220N15NM5CGSCATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 TRENCH >=100V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 |
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