IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
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| Anzahl | Preis |
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| 6000+ | 1.82 EUR |
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Technische Details IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Supplier Device Package: PG-WHTFN-9.
Weitere Produktangebote IQE220N15NM5CGSCATMA1 nach Preis ab 1.82 EUR bis 5.56 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 |
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IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
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| IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
TRENCH >=100V |
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