IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V

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Technische Details IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis
	IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V	auf Bestellung 5331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 1+ 5.02 EUR 10+ 3.27 EUR 100+ 2.27 EUR 500+ 1.95 EUR 2500+ 1.88 EUR 6000+ 1.81 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 430A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V	auf Bestellung 6402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 4+ 5.02 EUR 10+ 3.26 EUR 100+ 2.27 EUR 500+ 1.94 EUR Mindestbestellmenge: 4 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH