IQFH39N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Ta), 600A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

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Technische Details IQFH39N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	IQFH39N04NM6ATMA1	Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH <= 40V	auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	1+ 12.41 EUR 10+ 8.41 EUR 100+ 6.3 EUR 250+ 6.16 EUR 500+ 4.65 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

IQFH39N04NM6ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V

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