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IQFH39N04NM6ATMA1

IQFH39N04NM6ATMA1 INFINEON

Infineon-IQFH39N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f09d4297e4a4f
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQFH39N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 600 A, 390 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.53 EUR
500+6 EUR
1000+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details IQFH39N04NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQFH39N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 600 A, 390 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 600A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQFH39N04NM6ATMA1 IQFH39N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQFH39N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f09d4297e4a4f Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Ta), 600A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.21 EUR
10+7.97 EUR
100+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IQFH39N04NM6ATMA1 IQFH39N04NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IQFH39N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f09d4297e4a4f Description: INFINEON - IQFH39N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 600 A, 390 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.61 EUR
25+9.65 EUR
100+6.53 EUR
500+6 EUR
1000+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IQFH39N04NM6ATMA1 IQFH39N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQFH39N04NM6_DataSheet_v02_00_EN-3460501.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.77 EUR
10+10.01 EUR
100+7.5 EUR
250+7.33 EUR
500+5.53 EUR
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IQFH39N04NM6ATMA1 Infineon-IQFH39N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f09d4297e4a4f
IQFH39N04NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Ta), 600A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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2+11.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IQFH39N04NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQFH39N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 600 A, 390 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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18+14.61 EUR
25+9.65 EUR
100+6.53 EUR
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MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 280 Stücke:
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1+14.77 EUR
10+10.01 EUR
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