IQFH68N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

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Technische Details IQFH68N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis
	IQFH68N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 460A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 217µA Supplier Device Package: PG-TSON-12-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 30 V	auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 2+ 10.07 EUR 10+ 6.77 EUR 100+ 4.96 EUR Mindestbestellmenge: 2 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IQFH68N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	TRENCH 40<-<100V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IQFH68N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 460A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 217µA Supplier Device Package: PG-TSON-12-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 30 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH