IQFH68N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.25 EUR |
| 10+ | 8.6 EUR |
| 100+ | 6.97 EUR |
| 500+ | 6.2 EUR |
| 1000+ | 5.3 EUR |
| 3000+ | 4.99 EUR |
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Technische Details IQFH68N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQFH68N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 460 A, 680 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 460A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 273W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 680µohm.
Weitere Produktangebote IQFH68N06NM5ATMA1 nach Preis ab 5.14 EUR bis 12.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IQFH68N06NM5ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IQFH68N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 460 A, 680 µohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 273W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 680µohm |
auf Bestellung 1319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQFH68N06NM5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQFH68N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 460 A, 680 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 680µohm
Description: INFINEON - IQFH68N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 460 A, 680 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 680µohm
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 12.2 EUR |
| 28+ | 8.43 EUR |
| 100+ | 6.05 EUR |
| 500+ | 5.25 EUR |
| 1000+ | 5.14 EUR |