IR2011PBF Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 3.39 EUR |
| 50+ | 3.32 EUR |
| 100+ | 3.22 EUR |
| 250+ | 3.05 EUR |
| 2500+ | 2.92 EUR |
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Technische Details IR2011PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: DIP, Eingang: Invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 80ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IR2011PBF nach Preis ab 2.96 EUR bis 6.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IR2011PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
  Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Case: DIP8 Mounting: THT Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Output current: -1...1A Turn-off time: 60ns Turn-on time: 80ns Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 200V Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IR2011PBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP Packaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 2747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IR2011PBF | Infineon Technologies |
Gate Drivers 200V high & low-side ,1A,80ns,PDIP8 |
auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IR2011PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2043 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IR2011PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Case: DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1...1A
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Case: DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1...1A
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 4.06 EUR |
| 22+ | 3.36 EUR |
| 25+ | 3.22 EUR |
| IR2011PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.47 EUR |
| 10+ | 4.14 EUR |
| 50+ | 3.6 EUR |
| 100+ | 3.43 EUR |
| 250+ | 3.25 EUR |
| 500+ | 3.14 EUR |
| 1000+ | 3.06 EUR |
| 2500+ | 2.96 EUR |
| IR2011PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 200V high & low-side ,1A,80ns,PDIP8
Gate Drivers 200V high & low-side ,1A,80ns,PDIP8
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.32 EUR |
| 10+ | 4.75 EUR |
| 25+ | 4.38 EUR |
| 100+ | 3.94 EUR |
| 250+ | 3.73 EUR |
| 500+ | 3.71 EUR |
| 1000+ | 3.5 EUR |
| IR2011PBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2043 Stücke:
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