IR2011PBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 5.35 EUR |
| 10+ | 4.03 EUR |
| 25+ | 3.41 EUR |
| 100+ | 3.29 EUR |
| 250+ | 3.15 EUR |
| 500+ | 3.04 EUR |
| 1000+ | 2.97 EUR |
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Technische Details IR2011PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: DIP, Eingang: Invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 80ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IR2011PBF nach Preis ab 3.26 EUR bis 5.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IR2011PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIPPackaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A DigiKey Programmable: Not Verified |
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IR2011PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IR2011PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 200V 1A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube |
auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IR2011PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IR2011PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IR2011PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -1...1A Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 200V Turn-on time: 80ns Turn-off time: 60ns Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IR2011PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -1...1A Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 200V Turn-on time: 80ns Turn-off time: 60ns |
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