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IR2011PBF

IR2011PBF Infineon Technologies

infineonir2011dsv0100en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
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Technische Details IR2011PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: DIP, Eingang: Invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 80ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IR2011PBF IR2011PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonir2011dsv0100en.pdf Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
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IR2011PBF IR2011PBF Hersteller : Infineon Technologies ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2747 Stücke:
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Anzahl Preis
4+5.47 EUR
10+4.14 EUR
50+3.6 EUR
100+3.43 EUR
250+3.25 EUR
500+3.14 EUR
1000+3.06 EUR
2500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IR2011PBF IR2011PBF Hersteller : Infineon Technologies ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663 Gate Drivers 200V high & low-side ,1A,80ns,PDIP8
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10+4.22 EUR
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100+3.41 EUR
250+3.31 EUR
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IR2011PBF IR2011PBF Hersteller : INFINEON 2820281.pdf Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2043 Stücke:
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IR2011PBF IR2011PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-ir2011-ds-v01_00-en.pdf Driver 200V 1A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
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IR2011PBF IR2011PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonir2011dsv0100en.pdf Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
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IR2011PBF IR2011PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonir2011dsv0100en.pdf Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
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IR2011PBF IR2011PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IR2011SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Mounting: THT
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1...1A
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Case: DIP8
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