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IR2153SPBF

IR2153SPBF Infineon Technologies

ir2153.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Technische Details IR2153SPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IR2153SPBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 250mAout, 660ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 10V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 80ns, Ausgabeverzögerung: 660ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IR2153SPBF IR2153SPBF Infineon Technologies ir2153.pdf description Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
auf Bestellung 5030 Stücke:
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500+2.57 EUR
1000+2.32 EUR
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IR2153SPBF IR2153SPBF Infineon Technologies ir2153.pdf description Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
auf Bestellung 482 Stücke:
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231+2.89 EUR
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IR2153SPBF IR2153SPBF Infineon Technologies infineon_ir2153_datasheet_en.pdf description Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 15.6Vclamp 1.2
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.98 EUR
100+2.39 EUR
500+2.14 EUR
3800+2.12 EUR
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IR2153SPBF IR2153SPBF INFINEON 681023.pdf description Description: INFINEON - IR2153SPBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 250mAout, 660ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 660ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.97 EUR
67+3.5 EUR
73+2.94 EUR
100+2.62 EUR
250+2.49 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.3 EUR
2500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IR2153SPBF IR2153SPBF Infineon Technologies IR2153_D_S_PbF_5-21-20.pdf description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.57 EUR
10+4.16 EUR
95+3.44 EUR
190+3.3 EUR
285+3.22 EUR
570+3.12 EUR
1045+3.03 EUR
2565+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IR2153SPBF IR2153SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2153.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 40ns
auf Bestellung 117 Stücke:
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IR2153SPBF description ir2153.pdf
IR2153SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
auf Bestellung 5030 Stücke:
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500+2.57 EUR
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Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 15.6Vclamp 1.2
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10+2.98 EUR
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IR2153SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2153SPBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 250mAout, 660ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 660ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
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67+3.5 EUR
73+2.94 EUR
100+2.62 EUR
250+2.49 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.3 EUR
2500+2.27 EUR
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Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
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4+5.57 EUR
10+4.16 EUR
95+3.44 EUR
190+3.3 EUR
285+3.22 EUR
570+3.12 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 40ns
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH