IR2153SPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 74+ | 1.93 EUR |
| 250+ | 1.74 EUR |
| 285+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 570+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| 1045+ | 1.24 EUR |
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Technische Details IR2153SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2153SPBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 250mAout, 660ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 80ns, Ausgabeverzögerung: 660ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IR2153SPBF nach Preis ab 1.44 EUR bis 3.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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IR2153SPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Power: 625mW Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Turn-off time: 40ns Turn-on time: 80ns Number of channels: 2 Supply voltage: 10...15.6V DC Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality Voltage class: 600V Case: SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Kind of package: tube |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IR2153SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IR2153SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V Input Type: RC Input Circuit High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 4320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IR2153SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 15.6Vclamp 1.2 |
auf Bestellung 2727 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IR2153SPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2153SPBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 250mAout, 660ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 660ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IR2153SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IR2153SPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
Драйвер MOSFET, Uживл, В = 10...15,6, Тип вх. сигн. = з власним генератором, Io = 250 мА, Umax, B = 600, К-сть вих. = 2, Конфіг = 2 напівмостових драйвери, Тексп, °С = -40...+125,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 95 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |