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IRF100B201

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Produktcode: 172773
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 320 Stücke:
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95+1.51 EUR
96+1.44 EUR
101+1.33 EUR
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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auf Bestellung 475 Stücke:
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77+1.87 EUR
78+1.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 77
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : UMW TIRF100B201_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF100B201; SP001561498; IRF100B201 UMW TIRF100B201 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+2.24 EUR
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1251 Stücke:
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26+2.83 EUR
35+2.09 EUR
43+1.69 EUR
46+1.56 EUR
51+1.42 EUR
100+1.3 EUR
200+1.2 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
auf Bestellung 11562 Stücke:
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Anzahl Preis
1+4.45 EUR
10+2.32 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
5000+1.51 EUR
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : Infineon Technologies irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
auf Bestellung 1354 Stücke:
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4+4.63 EUR
50+2.3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : INFINEON IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5164 Stücke:
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IRF100B201 Hersteller : International Rectifier HiRel Products irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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255+2.11 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 255
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF100B201 Hersteller : Infineon irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 N-Channel 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) Through Hole TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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