IRF100B201 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 212+ | 0.68 EUR |
| 214+ | 0.65 EUR |
| 223+ | 0.6 EUR |
| 228+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |
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Technische Details IRF100B201 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF100B201 nach Preis ab 0.51 EUR bis 5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 10872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg |
auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB Packaging: Tube |
auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF100B201 | Hersteller : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF100B201; SP001561498; IRF100B201 UMW TIRF100B201 UMW Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF100B201 Produktcode: 172773
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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