
IRF100B201 Infineon Technologies
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Technische Details IRF100B201 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF100B201 nach Preis ab 0.85 EUR bis 5.00 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : UMW |
![]() Packaging: Tube |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : UMW |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF100B201 Produktcode: 172773
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