Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF100B201

IRF100B201

irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880
Produktcode: 172773
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRF100B201 nach Preis ab 2.84 EUR bis 9.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies irf100s201.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies irf100s201.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.91 EUR
10+5.21 EUR
50+4.03 EUR
100+3.67 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies infineon_irf100b201_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
auf Bestellung 3812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.96 EUR
10+4.41 EUR
100+3.89 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.01 EUR
2000+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 4969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.22 EUR
46+5.08 EUR
100+3.77 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 International Rectifier HiRel Products irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+3.05 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 irf100s201.pdf
IRF100B201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 irf100s201.pdf
IRF100B201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880
IRF100B201
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.91 EUR
10+5.21 EUR
50+4.03 EUR
100+3.67 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 infineon_irf100b201_datasheet_en.pdf
IRF100B201
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
auf Bestellung 3812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.96 EUR
10+4.41 EUR
100+3.89 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.01 EUR
2000+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100B201
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 4969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.22 EUR
46+5.08 EUR
100+3.77 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
219+3.05 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH