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IRF100B201

irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880
Produktcode: 172773
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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500+1.23 EUR
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
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Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
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On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2000+1.05 EUR
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : Infineon Technologies irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : Infineon Technologies irf100b201.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF100B201 IRF100B201 Hersteller : INFINEON IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5237 Stücke:
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IRF100B201 Hersteller : International Rectifier HiRel Products irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 610 Stücke:
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255+2.13 EUR
500+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 255
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