IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 209A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm.
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF100P218AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IRF100P218AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IRF100P218AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IRF100P218AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF100P218AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
auf Bestellung 3534 Stücke: Lieferzeit 154-168 Tag (e) |
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IRF100P218AKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF100P218AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005537804 |
auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100P218AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IRF100P218AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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