IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 79+ | 1.86 EUR |
| 80+ | 1.77 EUR |
| 82+ | 1.67 EUR |
| 100+ | 1.58 EUR |
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Technische Details IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 341W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.
Weitere Produktangebote IRF100P219AKMA1 nach Preis ab 1.67 EUR bis 9.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
auf Bestellung 5352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF100P219AKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 341W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF100P219AKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 79+ | 1.86 EUR |
| 80+ | 1.81 EUR |
| 82+ | 1.74 EUR |
| 100+ | 1.67 EUR |
| IRF100P219AKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 7.99 EUR |
| 32+ | 4.33 EUR |
| 50+ | 4.12 EUR |
| 100+ | 3.35 EUR |
| IRF100P219AKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 8.02 EUR |
| 31+ | 4.65 EUR |
| 32+ | 4.51 EUR |
| 50+ | 4.36 EUR |
| 100+ | 3.64 EUR |
| IRF100P219AKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.18 EUR |
| 25+ | 4.75 EUR |
| 100+ | 3.93 EUR |
| IRF100P219AKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 5352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.24 EUR |
| 10+ | 5.76 EUR |
| 100+ | 4.73 EUR |
| 400+ | 3.91 EUR |
| 1200+ | 3.78 EUR |
| IRF100P219AKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
Description: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 203A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)