Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF100PW219XKSA1
IRF100PW219XKSA1

IRF100PW219XKSA1 Infineon Technologies


infineonirf100pw219datasheetv0200en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+4.79 EUR
42+3.38 EUR
120+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF100PW219XKSA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 203A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V.

Weitere Produktangebote IRF100PW219XKSA1 nach Preis ab 2.87 EUR bis 8.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF100PW219XKSA1 IRF100PW219XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonirf100pw219datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+4.79 EUR
42+3.38 EUR
120+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100PW219XKSA1 IRF100PW219XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF100PW219-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d11e9f761e44 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100PW219XKSA1 IRF100PW219XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonirf100pw219datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100PW219XKSA1 IRF100PW219XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_01-31-2025_DS_IRF100PW219_2_0.pdf MOSFETs StrongIRFET Power MOSFET, 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH