IRF1010NSTRLPBF
Produktcode: 196974
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 34400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 34400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 60A Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 180W Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC |
auf Bestellung 2303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF1010NSTRLPBF | Hersteller : International Rectifier |
D2PAK (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |