IRF1010NSTRRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF1010NSTRRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRF1010NSTRRPBF nach Preis ab 1.45 EUR bis 1.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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IRF1010NSTRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF1010NSTRRPBF | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF1010NSTRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF1010NSTRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
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