IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 164+ | 0.90 EUR |
| 200+ | 0.72 EUR |
| 208+ | 0.66 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.47 EUR |
| 2000+ | 0.42 EUR |
| 3200+ | 0.39 EUR |
| 6400+ | 0.38 EUR |
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Technische Details IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRF1018ESTRLPBF nach Preis ab 0.63 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IRF1018ESTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018ESTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018ESTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018ESTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018ESTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg |
auf Bestellung 481 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1018ESTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
auf Bestellung 584 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1018ESTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018ESTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018ESTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1018ESTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF1018ESTRLPBF SMD N channel transistors |
auf Bestellung 694 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1018ESTRLPBF Produktcode: 203741
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRF1018ESTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF1018ESTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
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