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IRF1018ESTRLPBF

IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies

infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 848 Stücke:
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Anzahl Preis
40+1.82 EUR
48+1.52 EUR
53+1.37 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1018E_DataSheet_v01_01_EN-3362996.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
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IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
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6+3.12 EUR
10+2.03 EUR
100+1.47 EUR
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IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Hersteller : INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Hersteller : INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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IRF1018ESTRLPBF Hersteller : International Rectifier HiRel Products irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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369+1.44 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 369
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IRF1018ESTRLPBF
Produktcode: 203741
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irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
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