Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF1018ESTRLPBF

IRF1018ESTRLPBF

infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf
Produktcode: 203741
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRF1018ESTRLPBF nach Preis ab 1.05 EUR bis 2.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.71 EUR
56+2.55 EUR
58+2.41 EUR
60+2.29 EUR
100+1.47 EUR
250+1.43 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1018E_DataSheet_v01_01_EN-3362996.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+2.02 EUR
100+1.44 EUR
500+1.39 EUR
800+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+2.71 EUR
56+2.55 EUR
58+2.41 EUR
60+2.29 EUR
100+1.47 EUR
250+1.43 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF Infineon_IRF1018E_DataSheet_v01_01_EN-3362996.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.99 EUR
10+2.02 EUR
100+1.44 EUR
500+1.39 EUR
800+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF 44031.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF 44031.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

Thermoklebstoff Kafuter K5202, 80g.м
Produktcode: 82188
8 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Thermoklebstoff Kafuter K5202, 80g.мThermoklebstoff Kafuter K5202, 80g.м
Chemie > Sonstige Chemie
Beschreibung: Klebstoff
Anwendung: Unverzichtbar, was für die Verklebung von LED an die Radiatoren usw. Hat die Konsistenz von Zahnpasta, nach dem Härten ist ähnlich dem gehärteten Bau silikon Dichtungsmittel. Hält verklebten Teile ausreichend fest, aber Sie können zerreißen bei Wunsch. Hat erhöhte Wärmeleitfähigkeit, ausreichend für 10-20 Watt LEDs auf einem Substrat STAR und Matrizen CXA25xx, CXA30xx
Verpackung: 80g.
auf Bestellung 294 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 St.:
100 St. - erwartet
100 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+14.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84-B18.215
Produktcode: 57758
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06
Produktcode: 51940
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
mmbta06.pdf MMBTA05-MMBTA06.pdf
MMBTA06
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 100
ZCODE: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Флюс F-2000
Produktcode: 35669
26 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Флюс F-2000
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Категорія: Flussmittel
Опис: Verhindert Korrosion und Undichtigkeiten an der Stelle des Lötens, ohne Entfernung von Rückständen Flussmittel.
Вага/Об’єм/К-сть: 20 g
Паста-гель
auf Bestellung 539 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH