Suchergebnisse für "irf1104pbf.." : 7

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A87F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1104.pdf?ci_sign=a8b80656af041888259f2e24ae234f5b866c90ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.99 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.19 EUR
123+1.14 EUR
125+1.08 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON INFN-S-A0012732583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
883+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 883
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A87F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1104.pdf?ci_sign=a8b80656af041888259f2e24ae234f5b866c90ce
IRF1104PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
IRF1104PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
219+1.99 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
IRF1104PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
IRF1104PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+1.19 EUR
123+1.14 EUR
125+1.08 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
IRF1104PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF INFN-S-A0012732583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1104PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
IRF1104PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
883+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 883
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH