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IRF1104PBF

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IRF1104PBF.pdf
Produktcode: 28062
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 100 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2900/93
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.39 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1104_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
auf Bestellung 5129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.39 EUR
100+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
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IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON irf1104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da8d221895 Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 13266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.75 EUR
87+2.67 EUR
105+2.05 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.67 EUR
5000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1104.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1104PBF irf1104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da8d221895 IRF1104PBF Транзисторы HEXFET
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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IRF1104PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1104PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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