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IRF1104PBF

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Produktcode: 28062
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 100
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.01 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1104_DataSheet_v01_01_EN-3362911.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
auf Bestellung 5911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.8 EUR
100+1.59 EUR
250+1.58 EUR
500+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies irf1104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da8d221895 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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50+1.82 EUR
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IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1104.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1104PBF irf1104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da8d221895 IRF1104PBF Транзисторы HEXFET
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1104PBF Транзисторы HEXFET
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