IRF1104PBF
Produktcode: 28062
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 100
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93
JHGF: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IRF1104PBF nach Preis ab 1.36 EUR bis 3.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRF1104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC |
auf Bestellung 5911 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1104PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1104PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 13992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1104PBF |
IRF1104PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| IRF1104PBF | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |