IRF1104PBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.48 EUR |
| 10+ | 1.8 EUR |
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| 250+ | 1.58 EUR |
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Technische Details IRF1104PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF1104PBF nach Preis ab 1.32 EUR bis 3.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF1104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
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IRF1104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1104PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF1104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1104PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF1104PBF THT N channel transistors |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1104PBF |
IRF1104PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF1104PBF Produktcode: 28062
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 40 Idd,A: 100 Rds(on), Ohm: 01.09.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93 JHGF: THT |
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