IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 139+ | 0.99 EUR |
| 200+ | 0.93 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF1310NSTRLPBF nach Preis ab 0.87 EUR bis 2.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 259200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 259200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 743 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9089 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC |
auf Bestellung 13779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF1310NSTRLPBF SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |