Technische Details IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRF1310NSTRLPBF nach Preis ab 0.92 EUR bis 4.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 74400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 170100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 170100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC |
auf Bestellung 6459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF1310NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF1310NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 74400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.01 EUR |
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.22 EUR |
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.23 EUR |
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.54 EUR |
| 1600+ | 1.43 EUR |
| 2400+ | 1.38 EUR |
| 4000+ | 1.31 EUR |
| 5600+ | 1.27 EUR |
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 170100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 68+ | 2.17 EUR |
| 112+ | 1.29 EUR |
| 800+ | 1.23 EUR |
| 1600+ | 1.19 EUR |
| 2400+ | 1.16 EUR |
| 4000+ | 1.1 EUR |
| 5600+ | 1.05 EUR |
| 8000+ | 1.04 EUR |
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 170100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 52+ | 2.81 EUR |
| 68+ | 2.09 EUR |
| 112+ | 1.21 EUR |
| 800+ | 1.14 EUR |
| 1600+ | 1.08 EUR |
| 2400+ | 1.03 EUR |
| 4000+ | 0.94 EUR |
| 5600+ | 0.92 EUR |
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 3.4 EUR |
| 59+ | 2.45 EUR |
| 105+ | 1.34 EUR |
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
auf Bestellung 6459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.4 EUR |
| 10+ | 2.96 EUR |
| 100+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 800+ | 1.45 EUR |
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 6995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.54 EUR |
| 10+ | 2.94 EUR |
| 100+ | 2.02 EUR |
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF1310NSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)