IRF135B203 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 133+ | 1.10 EUR |
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| 1000+ | 0.83 EUR |
| 2000+ | 0.79 EUR |
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Technische Details IRF135B203 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF135B203 nach Preis ab 0.81 EUR bis 4.19 EUR
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IRF135B203 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF135B203 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF135B203 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF135B203 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF135B203 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF135B203 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF135B203 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF135B203 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF135B203 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF135B203 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF135B203 THT N channel transistors |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF135B203 Produktcode: 142696
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRF135B203 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF135B203 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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