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IRF135B203

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Produktcode: 142696
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRF135B203 IRF135B203 Infineon Technologies infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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133+1.33 EUR
147+1.15 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1.06 EUR
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IRF135B203 IRF135B203 Infineon Technologies infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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130+1.36 EUR
144+1.13 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.98 EUR
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IRF135B203 IRF135B203 Infineon Technologies infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF135B203 IRF135B203 Infineon Technologies infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF135B203 IRF135B203 Infineon Technologies infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF135B203 IRF135B203 Infineon Technologies infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF135B203 IRF135B203 Infineon Technologies Infineon_IRF135S203_DataSheet_v01_01_EN-3362768.pdf MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
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1+4.06 EUR
25+2.81 EUR
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IRF135B203 IRF135B203 Infineon Technologies irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1 Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
50+2.95 EUR
100+2.89 EUR
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IRF135B203 IRF135B203 INFINEON INFN-S-A0012732429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2137 Stücke:
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39+6.52 EUR
50+4.71 EUR
100+3.11 EUR
500+3.02 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRF135B203 infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF135B203
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF135B203
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Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+2.93 EUR
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IRF135B203 infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF135B203
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF135B203 infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf
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Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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IRF135B203 Infineon_IRF135S203_DataSheet_v01_01_EN-3362768.pdf
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MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
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IRF135B203
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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