IRF1404LPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF1404LPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF1404LPBF nach Preis ab 1.43 EUR bis 5.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF1404LPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404LPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1404LPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404LPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 162A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1404LPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC |
auf Bestellung 1005 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1404LPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404LPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |