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IRF1405PBF

IRF1405PBF

IRF1405PBF.pdf
Produktcode: 27155
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 169 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Montage: THT
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IRF1405PBF IRF1405PBF Infineon Technologies irf7389pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 24840 Stücke:
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IRF1405PBF IRF1405PBF Infineon Technologies irf7389pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF1405PBF IRF1405PBF Infineon Technologies irf1405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db084a18bb Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
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IRF1405PBF IRF1405PBF Infineon Technologies Infineon-IRF1405-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
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IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON INFN-S-A0012838790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
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IRF1405PBF IRF1405PBF Infineon Technologies irf7389pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
auf Bestellung 2653 Stücke:
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IRF1405PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-4K7R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Produktcode: 17658
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rc_series_20150401_1.pdf
4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-4K7R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 4,7 kOhm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 1150 St.
    erwartet: 25000 St.
    • 25000 St. - erwartet 10.08.2026
    AnzahlPrivatkunde
    10+0.5 EUR
    100+0.043 EUR
    1000+0.0033 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    Klemme 2EDGK-5.08-10P-14-00Z(H) (KLS2-EDK-508-10P)
    Produktcode: 20540
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    		2EDGK.pdf
    Klemme 2EDGK-5.08-10P-14-00Z(H) (KLS2-EDK-508-10P)
    Hersteller: Degson
    Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
    Kurzbeschreibung: Raster: 5,08mm, Anzahl Kontakte: 10P, Spannung/Strom: 300V/15A, für Draht: 28-12AWG 2,5mm²
    Raster, mm: 5,08 mm
    Anzahl Kontakte: 10
    HS-Code: 8536 69 90 90
    auf Bestellung 20 St.:
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    2EDGRC-5.08-10P-14-100A
    Produktcode: 122638
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    		2edgrc-5-datasheet.pdf
    2EDGRC-5.08-10P-14-100A
    Hersteller: Degson
    Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
    Kurzbeschreibung: gewinkelte Klemme, "Stift", Stiftbelegung des Steckverbinders 1x10, Spannung/Strom: 320V/20A
    Raster, mm: 5,08 mm
    Anzahl Kontakte: 10
    Steckverbindertyp: Steckbare Klemme
    auf Bestellung 178 St.:
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    erwartet 200 St.:
    200 St. - erwartet
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MBR2060CT
    Produktcode: 203161
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		ds23016-diodes.pdf
    MBR2060CT
    Hersteller: Diodes
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
    Gehäuse: TO-220
    Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
    Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 A
    Durchlassspannung Vf, V: 0,75 V
    Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
    Montage: THT
    Stoßstrom Ifsm, A: 180 A
    auf Bestellung 68 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    2SK2545
    Produktcode: 32870
    2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		2sk2545.pdf
    2SK2545
    Hersteller: Toshiba
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220F
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
    Drain-Strom Idd, A: 6 А
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/30
    Bemerkung: Ізольований корпус
    Montage: THT
    verfügbar: 102 St.
    • 5 St. - stock Köln
    • 97 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.05 EUR
    10+1 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH