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IRF1405PBF

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Produktcode: 27155
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 169 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Montage: THT
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IRF1405PBF IRF1405PBF Infineon Technologies infineonirf1405datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF IRF1405PBF Infineon Technologies infineon_irf1405_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
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IRF1405PBF IRF1405PBF Infineon Technologies irf1405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db084a18bb Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
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IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON INFN-S-A0012838790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
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IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF1405PBF IRF1405PBF Infineon Technologies infineonirf1405datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
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IRF1405PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
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IRF1405PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
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IRF1405PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-4K7R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 17658
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4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-4K7R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 4,7 kOhm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 1150 St.
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erwartet: 20000 St.
  • 20000 St. - erwartet
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100+0.043 EUR
1000+0.011 EUR
10000+0.0086 EUR
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Klemme 2EDGK-5.08-10P-14-00Z(H) (KLS2-EDK-508-10P)
Produktcode: 20540
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2EDGK.pdf
Klemme 2EDGK-5.08-10P-14-00Z(H) (KLS2-EDK-508-10P)
Hersteller: Degson
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
Kurzbeschreibung: Raster: 5,08mm, Anzahl Kontakte: 10P, Spannung/Strom: 300V/15A, für Draht: 28-12AWG 2,5mm.кв
Raster, mm: 5,08 mm
Anzahl Kontakte: 10
Produkt ist nicht verfügbar
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100+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDGRC-5.08-10P-14-100A
Produktcode: 122638
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2edgrc-5-datasheet.pdf
2EDGRC-5.08-10P-14-100A
Hersteller: Degson
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
Kurzbeschreibung: Gewinkelt Klemme, "Stecker", Konfiguration Anschlüsse Steckverbinder 1x10, Spannung/Strom: 320V/20A
Raster, mm: 5,08 мм
Anzahl Kontakte: 10
Steckverbindertyp: Klemme steckbarer Typ
erwartet: 400 St.
  • 200 St. - erwartet 08.11.2026
  • 200 St. - erwartet 30.03.2027
auf Bestellung: 32 St.
  • 32 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.63 EUR
10+0.56 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2545
Produktcode: 32870
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
2sk2545.pdf
2SK2545
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/30
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
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Drahtlot, 0,7mm, 100g, mit Flussmittel, bleihaltig, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø0.7, 100g
Produktcode: 62038
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description cynel.pdf
Drahtlot, 0,7mm, 100g, mit Flussmittel, bleihaltig, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø0.7, 100g
Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lot mit Flussmittel
Beschreibung: Weichlot mit Flussmittel. Lot: Sn60Pb40; Draht; 0.7mm; 0.1kg; Flussmittel: F-SW26; 2.5%; Schmelzpunkt: 190 °C
Gewicht/Volumen/Menge: 100 g
Durchmesser: 0,7 mm
Legierungszusammensetzung: Sn60Pb40
Schmelzpunkt: 190°С
Lottyp: Bleihaltig
erwartet: 240 St.
  • 240 St. - erwartet 24.11.2026
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