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IRF1405PBF

IRF1405PBF

IRF1405PBF.pdf
Produktcode: 27155
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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28+2.56 EUR
59+1.23 EUR
75+0.96 EUR
81+0.89 EUR
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF1405-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies irf1405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db084a18bb Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17658
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rc_series_20150401_1.pdf
4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 4,7 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 1150 St.
erwartet: 25000 St.
25000 St. - erwartet
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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Klemmen 2EDGK-5.08-10P-14-00Z(H)
Produktcode: 20540
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2EDGK.pdf
Klemmen 2EDGK-5.08-10P-14-00Z(H)
Hersteller: Degson, KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
Beschreibung: Schritt: 5,08mm, Anzahl Kontakte: 10P, Spannung/Strom: 300V/15A, fur Draht 28-12AWG 2,5mm2
Schritt, mm: 5,08mm
Anzahl Kontakte: 10
№ 7: 8536699090
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2EDGRC-5.08-10P-14-100A
Produktcode: 122638
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2edgrc-5-datasheet.pdf
2EDGRC-5.08-10P-14-100A
Hersteller: Degson
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
Beschreibung: Кутовий клемник, "тато", конфігурація виводів роз’єму 1x10, напруга/струм: 320V/20A
Schritt, mm: 5,08 mm
Anzahl Kontakte: 10
Клемник роз’ємного типу
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Прокладка силиконовая TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13*18mm(0.3mm) )
Produktcode: 123772
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Прокладка силиконовая TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13*18mm(0.3mm) )
Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
білий
auf Bestellung 8007 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 11000 St.:
5000 St. - erwartet 18.04.2026
5000 St. - erwartet 21.04.2026
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MBR2060CT
Produktcode: 203161
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ds23016-diodes.pdf
MBR2060CT
Hersteller: Diodes
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 60 V
If(A): 20 A
VF@IF: 0,75 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 180 A
auf Bestellung 145 St.:
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