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IRF1405PBF

IRF1405PBF

IRF1405PBF.pdf
Produktcode: 27155
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1405_DataSheet_v01_01_EN-3362756.pdf MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies irf1405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db084a18bb Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Produktcode: 162988		 91054.pdf
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Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
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auf Bestellung 87 Stück:
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erwartet 500 Stück:
500 Stück - erwartet 01.05.2024
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Produktcode: 22366		 irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
verfügbar: 154 Stück
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.16 EUR
10+ 1.13 EUR
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Produktcode: 25094		 description
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Gehäuse: TO-220
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Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13344 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
100+ 1 EUR
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Produktcode: 35892		 description 91065.pdf
IRF840A
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
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Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
verfügbar: 626 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.84 EUR
10+ 0.67 EUR
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2245		 X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
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erwartet 60000 Stück:
60000 Stück - erwartet 08.06.2024
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1000+ 0.0074 EUR
10000+ 0.0054 EUR
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