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IRF1405PBF

IRF1405PBF

IRF1405PBF.pdf
Produktcode: 27155
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB69F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1405.pdf?ci_sign=de55851dabce3431b508ff257378e49731e4e7e9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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28+2.57 EUR
33+2.2 EUR
41+1.76 EUR
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500+1.04 EUR
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB69F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1405.pdf?ci_sign=de55851dabce3431b508ff257378e49731e4e7e9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF1405-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies irf1405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db084a18bb Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405PBF IRF1405PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 5300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF840A
Produktcode: 35892
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description 91065.pdf
IRF840A
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
verfügbar: 69 Stück
5 Stück - stock Köln
64 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo)
Produktcode: 85265
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pyu-rc_group_51_rohs_l_9-1314892.pdf
1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 85 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SS34
Produktcode: 3426
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SS32-SS310.pdf
SS34
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMC (DO-214AB)
Vrrm(V): 40
If(A): 3
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
auf Bestellung 109 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.17 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
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100 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4598
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RC_series.pdf
100 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 100 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 30759 Stück
4950 Stück - stock Köln
25809 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 5000 Stück
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17834
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rc_series_20150401_1.pdf
10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 10430 Stück
4880 Stück - stock Köln
5550 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 20000 Stück
20000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
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