Technische Details IRF1405STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.
Weitere Produktangebote IRF1405STRLPBF nach Preis ab 1.82 EUR bis 6.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 9319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V |
auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF1405STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
auf Bestellung 3701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF1405STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
auf Bestellung 3701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.82 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 206+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.36 EUR |
| 1000+ | 2.13 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 206+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.36 EUR |
| 1000+ | 2.13 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 3.34 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.93 EUR |
| 10+ | 3.87 EUR |
| 100+ | 2.82 EUR |
| 500+ | 2.36 EUR |
| 800+ | 2.18 EUR |
| 2400+ | 2.06 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.37 EUR |
| 10+ | 4.14 EUR |
| 100+ | 2.88 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 3701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 3701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)