IRF1405STRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF1405STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.
Weitere Produktangebote IRF1405STRLPBF nach Preis ab 1.51 EUR bis 6.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK |
auf Bestellung 6194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 9319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
auf Bestellung 1669 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC |
auf Bestellung 8992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK |
auf Bestellung 6248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
auf Bestellung 1669 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.51 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
auf Bestellung 6194 Stücke:
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|---|---|
| 800+ | 1.8 EUR |
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| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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|---|---|
| 278+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 2.13 EUR |
| 1000+ | 1.93 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 278+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 2.13 EUR |
| 1000+ | 1.93 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 1669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.63 EUR |
| 250+ | 2.59 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 4.75 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 4.76 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
auf Bestellung 8992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.21 EUR |
| 10+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 2400+ | 1.69 EUR |
| 4800+ | 1.67 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
auf Bestellung 6248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.34 EUR |
| 10+ | 3.44 EUR |
| 50+ | 2.63 EUR |
| 100+ | 2.37 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 1669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 6.97 EUR |
| 56+ | 4.18 EUR |
| 66+ | 3.26 EUR |
| 100+ | 2.63 EUR |
| 250+ | 2.59 EUR |
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF1405STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)