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Technische Details IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: WDSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF150DM115XTMA1 nach Preis ab 1.98 EUR bis 2.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF150DM115XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF150DM115XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF150DM115XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-channel MOSFET |
auf Bestellung 2722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF150DM115XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP001511080 |
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| IRF150DM115XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-channel MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF150DM115XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-channel MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF150DM115XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF150DM115XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
Produkt ist nicht verfügbar |