Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF150DM115XTMA1
IRF150DM115XTMA1

IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies

infineonirf150dm115datasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-channel MOSFET
auf Bestellung 2722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
182+3.67 EUR
500+3.44 EUR
1000+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 182 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, Verlustleistung: 78W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm.

Weitere Produktangebote IRF150DM115XTMA1 nach Preis ab 3.39 EUR bis 10.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF150DM115XTMA1 IRF150DM115XTMA1 INFINEON 4327854.pdf Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.24 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1 IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies infineon_irf150dm115_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.45 EUR
10+4.88 EUR
100+4.44 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.72 EUR
2500+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1 IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF150DM115-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c543dc4d4e Description: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 4651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.64 EUR
10+6.37 EUR
50+4.96 EUR
100+4.51 EUR
500+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1 IRF150DM115XTMA1 INFINEON 4327854.pdf Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.52 EUR
44+5.32 EUR
100+4.24 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1 4327854.pdf
IRF150DM115XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.24 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1 infineon_irf150dm115_datasheet_en.pdf
IRF150DM115XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.45 EUR
10+4.88 EUR
100+4.44 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.72 EUR
2500+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1 Infineon-IRF150DM115-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c543dc4d4e
IRF150DM115XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 4651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.64 EUR
10+6.37 EUR
50+4.96 EUR
100+4.51 EUR
500+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1 4327854.pdf
IRF150DM115XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.52 EUR
44+5.32 EUR
100+4.24 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH