| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 242+ | 2.73 EUR |
| 500+ | 2.56 EUR |
| 1000+ | 2.36 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, Verlustleistung: 78W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm.
Weitere Produktangebote IRF150DM115XTMA1 nach Preis ab 2.68 EUR bis 8.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF150DM115XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm |
auf Bestellung 2691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF150DM115XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
auf Bestellung 754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF150DM115XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V DIRECTFETPackaging: Cut Tape (CT) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
auf Bestellung 4785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF150DM115XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm |
auf Bestellung 2691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IRF150DM115XTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
auf Bestellung 2691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.43 EUR |
| 500+ | 2.92 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
| IRF150DM115XTMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.35 EUR |
| 10+ | 5.46 EUR |
| 100+ | 3.97 EUR |
| 500+ | 3.31 EUR |
| 1000+ | 3.01 EUR |
| 2500+ | 2.76 EUR |
| 4800+ | 2.68 EUR |
| IRF150DM115XTMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 4785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.44 EUR |
| 10+ | 5.57 EUR |
| 100+ | 3.94 EUR |
| 500+ | 3.36 EUR |
| IRF150DM115XTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
auf Bestellung 2691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 8.47 EUR |
| 46+ | 5.15 EUR |
| 100+ | 3.43 EUR |
| 500+ | 2.92 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |





