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IRF200B211

IRF200B211 Infineon Technologies

infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRF200B211 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, Verlustleistung: 80W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF200B211 IRF200B211 Infineon Technologies infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 284 Stücke:
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151+1.17 EUR
165+1.06 EUR
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IRF200B211 IRF200B211 Infineon Technologies infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 284 Stücke:
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165+1 EUR
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IRF200B211 IRF200B211 International Rectifier irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4 Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
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384+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
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IRF200B211 IRF200B211 Infineon Technologies infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1524 Stücke:
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81+2.18 EUR
100+2.06 EUR
250+1.93 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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IRF200B211 IRF200B211 Infineon Technologies Infineon_IRF200B211_DataSheet_v01_01_EN-3362868.pdf MOSFETs N
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2+2.32 EUR
10+1.8 EUR
100+1.52 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF200B211 IRF200B211 Infineon Technologies irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4 Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 458 Stücke:
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6+3.58 EUR
50+1.73 EUR
100+1.55 EUR
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IRF200B211 IRF200B211 INFINEON INFN-S-A0012732493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 3843 Stücke:
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53+4.72 EUR
63+3.74 EUR
123+1.75 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.49 EUR
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IRF200B211 infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF200B211
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
151+1.17 EUR
165+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
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IRF200B211 infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF200B211
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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134+1.32 EUR
151+1.13 EUR
165+1 EUR
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IRF200B211 irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4
IRF200B211
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
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IRF200B211 infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF200B211
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+2.18 EUR
100+2.06 EUR
250+1.93 EUR
500+1.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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IRF200B211 Infineon_IRF200B211_DataSheet_v01_01_EN-3362868.pdf
IRF200B211
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.32 EUR
10+1.8 EUR
100+1.52 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF200B211 irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4
IRF200B211
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.58 EUR
50+1.73 EUR
100+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRF200B211 INFN-S-A0012732493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF200B211
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+4.72 EUR
63+3.74 EUR
123+1.75 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH