IRF200P223 Infineon Technologies
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 26+ | 6.19 EUR |
| 27+ | 5.75 EUR |
| 28+ | 5.31 EUR |
| 100+ | 4.73 EUR |
| 250+ | 4.5 EUR |
| 400+ | 4.1 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF200P223 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0095 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRF200P223 nach Preis ab 4.08 EUR bis 14.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF200P223 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 52800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF200P223 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF200P223 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRF200P223 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5094 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRF200P223 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 71A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Technology: StrongIRFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 71A Power dissipation: 313W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF200P223 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 71A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Technology: StrongIRFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 71A Power dissipation: 313W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRF200P223 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET IFX OPTIMOS |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRF200P223 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0095 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
IRF200P223 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |