Technische Details IRF200P223 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF200P223 nach Preis ab 4.87 EUR bis 12.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRF200P223 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF200P223 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF200P223 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF200P223 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5094 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF200P223 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF200P223 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF200P223 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 8.98 EUR |
| 100+ | 5.38 EUR |
| 500+ | 5.19 EUR |
| IRF200P223 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 9.01 EUR |
| 25+ | 7.32 EUR |
| 100+ | 6.27 EUR |
| 400+ | 4.87 EUR |
| IRF200P223 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 9.21 EUR |
| 25+ | 7.6 EUR |
| 100+ | 6.63 EUR |
| 400+ | 5.27 EUR |
| IRF200P223 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5094 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5094 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.09 EUR |
| 25+ | 8.82 EUR |
| 100+ | 7.89 EUR |
| 500+ | 6.35 EUR |
| IRF200P223 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX OPTIMOS
MOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.23 EUR |
| 10+ | 12.13 EUR |
| 25+ | 9.87 EUR |
| 100+ | 8.51 EUR |
| 400+ | 6.64 EUR |
| 1200+ | 6.26 EUR |
| IRF200P223 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)