IRF2204PBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRF2204PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRF2204PBF nach Preis ab 1.32 EUR bis 3.12 EUR
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IRF2204PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2204PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2204PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2204PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2204PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2204PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 210A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 330W Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF2204PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 210A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 330W Technology: HEXFET® |
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IRF2204PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2204PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2204PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2204PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2204PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2204PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC |
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