IRF250P224
Produktcode: 177313
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRF250P224 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9915 pF @ 50 V |
auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF250P224 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF250P224 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF250P224 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 128 A, 0.012 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF250P224 | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
IRF250P224 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF250P224 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 68A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Technology: StrongIRFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 68A Power dissipation: 313W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 203nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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