IRF250P224 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 16+ | 9.80 EUR |
| 50+ | 5.72 EUR |
| 100+ | 4.64 EUR |
| 200+ | 4.36 EUR |
| 800+ | 4.11 EUR |
| 1600+ | 3.72 EUR |
| 3200+ | 3.37 EUR |
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Technische Details IRF250P224 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF250P224 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 128 A, 0.009 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF250P224 nach Preis ab 5.75 EUR bis 14.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IRF250P224 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF250P224 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9915 pF @ 50 V |
auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF250P224 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF250P224 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF250P224 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 128 A, 0.009 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF250P224 Produktcode: 177313
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IRF250P224 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRF250P224 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 68A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Case: TO247AC Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 203nC Technology: StrongIRFET™ Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Gate-source voltage: ±20V Drain current: 68A On-state resistance: 12mΩ Anzahl je Verpackung: 400 Stücke |
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IRF250P224 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
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IRF250P224 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 68A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Case: TO247AC Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 203nC Technology: StrongIRFET™ Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Gate-source voltage: ±20V Drain current: 68A On-state resistance: 12mΩ |
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