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IRF2805STRLPBF

IRF2805STRLPBF Infineon Technologies

Infineon_IRF2805S_DataSheet_v01_01_EN-3362757.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
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Technische Details IRF2805STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF2805STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 135 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF INFINEON 665845.pdf Description: INFINEON - IRF2805STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 135 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
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Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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30+8.59 EUR
45+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRF2805STRLPBF International Rectifier HiRel Products irf2805spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de9aad18ed IRF2805STRLPBF
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IRF2805STRLPBF 665845.pdf
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Description: INFINEON - IRF2805STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 135 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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