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IRF2805STRLPBF

IRF2805STRLPBF Infineon Technologies


infineon-irf2805s-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRF2805STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF2805STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 135 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2805s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf2805spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de9aad18ed Description: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF2805S_DataSheet_v01_01_EN-3362757.pdf MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf2805spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de9aad18ed Description: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
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10+ 3.92 EUR
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Hersteller : INFINEON 665845.pdf Description: INFINEON - IRF2805STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 135 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Hersteller : INFINEON 665845.pdf Description: INFINEON - IRF2805STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 135 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Dauer-Drainstrom Id: 135A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf2805spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2805s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2805s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf2805spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf2805spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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